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硅通孔技術（Through Silicon Via， TSV）技術是一項高密度封裝技術，正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術，被認為是第四代封裝技術。

TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質的填充，實現硅通孔的垂直電氣互連。硅通孔技術可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度，減小信號延遲，降低電容/電感，實現芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現器件集成的小型化。

TSV技術的優(yōu)勢

①縮小封裝尺寸；

②高頻特性出色，減小傳輸延時、降低噪聲；

③降低芯片功耗，據稱，TSV可將硅鍺芯片的功耗降低大約40%；

④熱膨脹可靠性高。

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