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熱氧化物表面形成二氧化硅層。在氧化劑的存在下在升高的溫度下，給過程稱為熱氧化。通常生長熱氧化層的在水平管式爐中。溫度范圍控制在900到1200攝氏度，使用濕法或者干法的生長方法。熱氧化物是一種生長的氧化物層。相對于CVD法沉積的氧化物層，它具有較高的均勻性和更高的介電強度。這是一個極好的作為絕緣體的介電層。大多數(shù)硅為基礎的設備中，熱氧化層都扮演著非常重要的角色，作為摻雜障礙和表面電介質(zhì)。

應用范圍：1，刻蝕率測定 2，金屬打線測試 3，金屬晶圓 4，電性絕緣層